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Artigo de periodico
Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness (2012)
Lopes, E M; Menezes, J C M; Duarte, J L; Dias, I F L; Laureto, E; Guimarães, P S S; Subtil, A G S; Quivy, A A
Source: Journal of Luminescence. Unidade: IF
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, MAGNETISMO
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ABNT
LOPES, E M et al. Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness. Journal of Luminescence, v. 132, n. 5, p. 1183-1187, 2012Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311007344. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Lopes, E. M., Menezes, J. C. M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Laureto, E., Guimarães, P. S. S., et al. (2012). Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness. Journal of Luminescence, 132( 5), 1183-1187. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311007344
NLM
Lopes EM, Menezes JCM, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Guimarães PSS, Subtil AGS, Quivy AA. Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness [Internet]. Journal of Luminescence. 2012 ;132( 5): 1183-1187.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311007344
Vancouver
Lopes EM, Menezes JCM, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Guimarães PSS, Subtil AGS, Quivy AA. Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness [Internet]. Journal of Luminescence. 2012 ;132( 5): 1183-1187.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311007344
Trabalho de evento-resumo
Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells (2011)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Silva, M A T da; Lourenço, S A; Silva, E C F da; Quivy, A A; Cezar, D F
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Silva, M. A. T. da, Lourenço, S. A., et al. (2011). Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Silva MAT da, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA, Cezar DF. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Silva MAT da, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA, Cezar DF. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells (2011)
Lopes, E M; Quivy, A A; César, D F; Franchello, F; Duarte, J L; Dias, I F L; Laureto, E; Guimarães, P S S; Tanaka, R Y
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
LOPES, E M et al. Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1570-1.pdf. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Lopes, E. M., Quivy, A. A., César, D. F., Franchello, F., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., et al. (2011). Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1570-1.pdf
NLM
Lopes EM, Quivy AA, César DF, Franchello F, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Guimarães PSS, Tanaka RY. Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1570-1.pdf
Vancouver
Lopes EM, Quivy AA, César DF, Franchello F, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Guimarães PSS, Tanaka RY. Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1570-1.pdf
Artigo de periodico
Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder (2010)
Lopes, E M; Duarte, J L; Poças, L C; Dias, I. F. L; Laureto, E; Quivy, Alain Andre; Lamas, Tomas Eriksson
Source: JournalofLuminescence. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
LOPES, E M et al. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder. JournalofLuminescence, v. 130, n. 3, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Lopes, E. M., Duarte, J. L., Poças, L. C., Dias, I. F. L., Laureto, E., Quivy, A. A., & Lamas, T. E. (2010). Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder. JournalofLuminescence, 130( 3). doi:10.1016/j.jlumin.2009.10.013
NLM
Lopes EM, Duarte JL, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Quivy AA, Lamas TE. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder [Internet]. JournalofLuminescence. 2010 ;130( 3):[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013
Vancouver
Lopes EM, Duarte JL, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Quivy AA, Lamas TE. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder [Internet]. JournalofLuminescence. 2010 ;130( 3):[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013
Artigo de periodico
Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs (2010)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Lourenço, S A; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, A. A.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, v. 40, n. 1, p. 15-21, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Lourenço, S. A., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2010). Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, 40( 1), 15-21. doi:10.1590/s0103-97332010000100003
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003
Artigo de periodico
Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells (2009)
Morais, R R O; Dias, I F L; Silva, M A T da; Cesar, D F; Duarte, J L; Lourenço, S A; Laureto, E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 21, n. 15, p. 155601/1-155601/7, 2009Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Silva, M. A. T. da, Cesar, D. F., Duarte, J. L., Lourenço, S. A., et al. (2009). Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, 21( 15), 155601/1-155601/7. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Silva MAT da, Cesar DF, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 15): 155601/1-155601/7.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Silva MAT da, Cesar DF, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 15): 155601/1-155601/7.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
Artigo de periodico
The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells (2008)
Silva, M A T da; Morais, R R O; Dias, I F L; Lourenço, S A; Duarte, J L; Laureto, E; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPALHAMENTO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M A T da et al. The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 20, n. 25, p. 255246/1-255246/9, 2008Tradução . . Disponível em: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Silva, M. A. T. da, Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Lourenço, S. A., Duarte, J. L., Laureto, E., et al. (2008). The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, 20( 25), 255246/1-255246/9. Recuperado de http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d
NLM
Silva MAT da, Morais RRO, Dias IFL, Lourenço SA, Duarte JL, Laureto E, Quivy AA, Silva ECF da. The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2008 ; 20( 25): 255246/1-255246/9.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d
Vancouver
Silva MAT da, Morais RRO, Dias IFL, Lourenço SA, Duarte JL, Laureto E, Quivy AA, Silva ECF da. The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2008 ; 20( 25): 255246/1-255246/9.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d
Trabalho de evento-resumo
Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk" (2008)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Lourenço, S A; Laureto, E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.
Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk". 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Lourenço, S. A., Laureto, E., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2008). Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk". In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk" [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk" [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike (2007)
Cesar, D F; Duarte, J L; Dias, I F L; Laureto, E; Lopes, E M; Frachello, F; Lamas, T. E.
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CESAR, D F et al. Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Cesar, D. F., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Laureto, E., Lopes, E. M., Frachello, F., & Lamas, T. E. (2007). Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf
NLM
Cesar DF, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Lopes EM, Frachello F, Lamas TE. Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf
Vancouver
Cesar DF, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Lopes EM, Frachello F, Lamas TE. Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells (2007)
Lourenço, Sidney Alves; Duarte, J L; Silva, M A T da; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENÇO, Sidney Alves et al. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Duarte, J. L., Silva, M. A. T. da, Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., et al. (2007). Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
NLM
Lourenço SA, Duarte JL, Silva MAT da, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
Vancouver
Lourenço SA, Duarte JL, Silva MAT da, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power (2007)
Lopes, E M; Duarte, J L; Dias, I F L; Poças, L C; Laureto, E; Cesar, D F; Lamas, T. E.
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, E M et al. Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Lopes, E. M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Poças, L. C., Laureto, E., Cesar, D. F., & Lamas, T. E. (2007). Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf
NLM
Lopes EM, Duarte JL, Dias IFL, Poças LC, Laureto E, Cesar DF, Lamas TE. Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf
Vancouver
Lopes EM, Duarte JL, Dias IFL, Poças LC, Laureto E, Cesar DF, Lamas TE. Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf
Trabalho de evento
Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs (2006)
Lopes, E M; Duarte, J L; César, D F; Poças, L C; Dias, I. F. L.; Laureto, E; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, E M et al. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Lopes, E. M., Duarte, J. L., César, D. F., Poças, L. C., Dias, I. F. L., Laureto, E., et al. (2006). Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
NLM
Lopes EM, Duarte JL, César DF, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
Vancouver
Lopes EM, Duarte JL, César DF, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
Artigo de periodico
Influência das flutuações da composição química das barreiras sobre as recombinações excitônicas em poços quânticos de 'Al IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs (2006)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Silva, M A T da; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.
Source: Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. Unidade: IF
Subjects: VÁCUO, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
LOURENÇO, S A et al. Influência das flutuações da composição química das barreiras sobre as recombinações excitônicas em poços quânticos de 'Al IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, v. 25, n. 1, p. 111-117, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_111.pdf. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Silva, M. A. T. da, Quivy, A. A., & Lamas, T. E. (2006). Influência das flutuações da composição química das barreiras sobre as recombinações excitônicas em poços quânticos de 'Al IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, 25( 1), 111-117. Recuperado de http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_111.pdf
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Silva MAT da, Quivy AA, Lamas TE. Influência das flutuações da composição química das barreiras sobre as recombinações excitônicas em poços quânticos de 'Al IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2006 ; 25( 1): 111-117.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_111.pdf
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Silva MAT da, Quivy AA, Lamas TE. Influência das flutuações da composição química das barreiras sobre as recombinações excitônicas em poços quânticos de 'Al IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2006 ; 25( 1): 111-117.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_111.pdf
Trabalho de evento-resumo
Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ (2005)
Silva, M A T; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Dias, I. F. L.; Duarte, J L; Laureto, E; Lourenco, S A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
SILVA, M A T et al. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$. 2005, Anais.. São Paulo: SBF, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Silva, M. A. T., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., & Lourenco, S. A. (2005). Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
NLM
Silva MAT, Lamas TE, Quivy AA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenco SA. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
Vancouver
Silva MAT, Lamas TE, Quivy AA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenco SA. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
Artigo de periodico
Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs (2004)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Poças, L C; Toginho Filho, D O; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
LOURENÇO, S A et al. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Poças, L. C., Toginho Filho, D. O., & Leite, J. R. (2004). Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000300031
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Poças LC, Toginho Filho DO, Leite JR. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Poças LC, Toginho Filho DO, Leite JR. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031
Artigo de periodico
Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells (2001)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Iwamoto, H; Meneses, E A; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, INTERAÇÕES NUCLEARES
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ABNT
LOURENÇO, S A et al. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 29, n. 2, p. 225-231, 2001Tradução . . Disponível em: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Iwamoto, H., Meneses, E. A., & Leite, J. R. (2001). Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, 29( 2), 225-231. Recuperado de http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Iwamoto H, Meneses EA, Leite JR. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2001 ; 29( 2): 225-231.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Iwamoto H, Meneses EA, Leite JR. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2001 ; 29( 2): 225-231.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
Artigo de periodico
Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells (2001)
Lourenco, S A; Dias, I. F. L.; Laureto, E; Duarte, J L; Toguinho Filho, D O; Meneses, E A; Leite, J. R.
Source: European Physical Journal B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
LOURENCO, S A et al. Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells. European Physical Journal B, v. 21, n. 1, p. 11-17, 2001Tradução . . Disponível em: http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Lourenco, S. A., Dias, I. F. L., Laureto, E., Duarte, J. L., Toguinho Filho, D. O., Meneses, E. A., & Leite, J. R. (2001). Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells. European Physical Journal B, 21( 1), 11-17. Recuperado de http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf
NLM
Lourenco SA, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Toguinho Filho DO, Meneses EA, Leite JR. Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells [Internet]. European Physical Journal B. 2001 ; 21( 1): 11-17.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf
Vancouver
Lourenco SA, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Toguinho Filho DO, Meneses EA, Leite JR. Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells [Internet]. European Physical Journal B. 2001 ; 21( 1): 11-17.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf
Artigo de periodico
Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs (2001)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Meneses, E A; Leite, J. R.; Mazzaro, I
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, ÓPTICA, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
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ABNT
LOURENÇO, S A et al. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs. Journal of Applied Physics, v. 89, n. 11, p. 6159-6164, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1367875. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Meneses, E. A., Leite, J. R., & Mazzaro, I. (2001). Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs. Journal of Applied Physics, 89( 11), 6159-6164. doi:10.1063/1.1367875
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Meneses EA, Leite JR, Mazzaro I. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 89( 11): 6159-6164.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1367875
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Meneses EA, Leite JR, Mazzaro I. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 89( 11): 6159-6164.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1367875
Artigo de periodico
Processos de transferencia de energia em solidos (1993)
Duarte, J L; Castro Neto, Jarbas Caiado de
Source: Semina. Unidade: IFSC
Subjects: COLISÕES, MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE, J L e CASTRO NETO, Jarbas Caiado de. Processos de transferencia de energia em solidos. Semina, v. 14-5, n. 4 , p. 377-82, 1993Tradução . . Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Duarte, J. L., & Castro Neto, J. C. de. (1993). Processos de transferencia de energia em solidos. Semina, 14-5( 4 ), 377-82.
NLM
Duarte JL, Castro Neto JC de. Processos de transferencia de energia em solidos. Semina. 1993 ;14-5( 4 ): 377-82.[citado 2024 abr. 28 ]
Vancouver
Duarte JL, Castro Neto JC de. Processos de transferencia de energia em solidos. Semina. 1993 ;14-5( 4 ): 377-82.[citado 2024 abr. 28 ]
Artigo de periodico
Photon-assisted off- resonance energy transfer between 'CR POT.3+' and 'GD POT.3+' in 'GD''AL''O IND.3' (1992)
Duarte, J L; Castro, J C
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE, J L e CASTRO, J C. Photon-assisted off- resonance energy transfer between 'CR POT.3+' and 'GD POT.3+' in 'GD''AL''O IND.3'. Physical Review B, v. 46, n. 10, p. se 1992, 1992Tradução . . Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Duarte, J. L., & Castro, J. C. (1992). Photon-assisted off- resonance energy transfer between 'CR POT.3+' and 'GD POT.3+' in 'GD''AL''O IND.3'. Physical Review B, 46( 10), se 1992.
NLM
Duarte JL, Castro JC. Photon-assisted off- resonance energy transfer between 'CR POT.3+' and 'GD POT.3+' in 'GD''AL''O IND.3'. Physical Review B. 1992 ;46( 10): se 1992.[citado 2024 abr. 28 ]
Vancouver
Duarte JL, Castro JC. Photon-assisted off- resonance energy transfer between 'CR POT.3+' and 'GD POT.3+' in 'GD''AL''O IND.3'. Physical Review B. 1992 ;46( 10): se 1992.[citado 2024 abr. 28 ]

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